功率半导体

凭借获得专利的缓冲JBS结构和先进的衬底减薄技术,上海飞锃半导体 提供了具有高效能性能的超小尺寸芯片。 新芯片可将变压器和散热器的尺寸减小30%。飞锃半导体的碳化硅二极管产品系列丰富,与国际领先竞品高度兼容,并且搭配行业先进的封装,如TO220、TO247-2、TO247-3、TO252、TO263、DFN等。

飞锃半导体自主研发的碳化硅MOSFET 具备高开关频率,低导通电阻,优良高温特性,与耐高压等优势,有着替代现有IGBT和超结MOSFET的巨大潜力。其应用在更高频率的电源设计里,能够缩小系统储能器件的体积,例如大电感,大变压器及大容量电容等,从而降低系统成本。飞锃半导体推出的第二代平面结构MOSFET促进了光伏风电,新能源汽车车,不间断电源,服务器电源等应用往高效与高可性靠发展的趋势。

上海贝岭公司的IGBT产品,涵盖了平面高鲁棒特性系列, 基于沟槽场截止型(Trench Field Stop)技术的高效系列,结合了超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部寿命控制等技术,显著改善了动静态性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作温度更高,转换效率更大,使用寿命更长。

上海贝岭电源管理产品涵盖DC/DC,LDO,电压检测,充电管理,负载开关,继电器驱动、LED驱动等产品系列,可以为客户配套完整的电源管理方案。

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